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MSC1450A
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MSC1450A 技術仕様
RF POWER TRANSISTOR
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
Supplier Device Package | M216 |
Package / Case | M216 |
Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequency - Transition | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 1A, 5V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | - |
Power - Max | 910W |
Operating Temperature | 250°C |
Mounting Type | Chassis Mount |
Gain | 7dB |
Detailed Description | RF Transistor 65V 28A 910W Chassis Mount M216 |
Current - Collector (Ic) (Max) | 28A |
MSC1450A 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください MSC1450A
-
データシート
その他には以下が含まれます: "MSC14" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'MSC14'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
MSC1400M | Microsemi | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF | 2635 |
MSC1400M | Microsemi Corporation | RF BJT トランジスタ | |
MSC140SMA120B | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2613 |
MSC1450A | Microsemi Corporation | RF BJT トランジスタ | |
MSC1450M | Microsemi | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF | 2564 |
MSC1450M | Microsemi Corporation | RF BJT トランジスタ |
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