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NJX1675PDR2G 技術仕様

TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type NPN, PNP
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 1A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A
Supplier Device Package 8-SOIC
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz, 120MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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NJX1675PDR2G ON Semiconductor 配列 BJT トランジスタ
NJX1675PDR2G Rochester Electronics, LLC 配列 BJT トランジスタ

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NJX1675PDR2G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, NJX1675PDR2G 参考価格. NJX1675PDR2G パラメーター, NJX1675PDR2G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NJX1675PDR2G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NJX1675PDR2G ピン図と回路図と機能の使用方法、 NJX1675PDR2G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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