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NSL12AWT1
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NSL12AWT1 技術仕様
TRANS PNP 12V 2A SOT363
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 450mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 800mA, 1.5 V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 290mV @ 20mA, 1A |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 100MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
NSL12AWT1 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください NSL12AWT1
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データシート
NSL12AWT1.pdf
その他には以下が含まれます: "NSL12" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'NSL12'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
NSL12AWT1 | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ | |
NSL12AWT1 | Rochester Electronics, LLC | 単一BJTトランジスタ | |
NSL12AWT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 3276 |
NSL12AWT1G | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ |
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輸送方法 | ||
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