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PBRN123YT,215 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 250mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.15V @ 8mA, 800mA
Supplier Device Package TO-236AB (SOT23)
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 500 @ 300mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
PBRN113EK,115 NXP Semiconductors / Freescale トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2756
PBRN113EK,115 NXP USA Inc. 事前バイアスBJTトランジスタ
PBRN113ES,126 NXP Semiconductors / Freescale トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2555
PBRN113ES,126 NXP USA Inc. 事前バイアスBJTトランジスタ
PBRN113ET NXP 特殊なホットIC 1282
PBRN113ET,215 Nexperia トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2618
PBRN113ET,215 Nexperia USA Inc. 事前バイアスBJTトランジスタ
PBRN113ZK,115 NXP Semiconductors / Freescale トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2527
PBRN113ZK,115 NXP USA Inc. 事前バイアスBJTトランジスタ
PBRN113ZS,126 NXP Semiconductors / Freescale トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2795

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PBRN123YT,215 ブランドメーカー: Nexperia, Bonchip ストック, PBRN123YT,215 参考価格. PBRN123YT,215 パラメーター, PBRN123YT,215 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 PBRN123YT,215 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 PBRN123YT,215 ピン図と回路図と機能の使用方法、 PBRN123YT,215 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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