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SI3900DV-T1-GE3 技術仕様

MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 830mW
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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SI3900DV-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI3900DV VISHAY 特殊なホットIC 6000
SI3900DV-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 28437
SI3900DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SI3900DV-T1-E3 IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 2081
SI3900DV-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 44180
SI3900DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
Si3900DV-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 3388
SI3905DV-T1 SILICON 特殊なホットIC 2056
SI3905DV-T1 IC SILICONIX 特殊なホットIC 3455
SI3905DV-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 13435

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SI3900DV-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI3900DV-T1-GE3 参考価格. SI3900DV-T1-GE3 パラメーター, SI3900DV-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI3900DV-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI3900DV-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI3900DV-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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