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SI4599DY-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 3W, 3.1W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.8A, 5.8A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35.5 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 20V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
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SI4599DY-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI4590DY-T1 SILICONIX 特殊なホットIC 5323
SI4590DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 5406
SI4590DY-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2812
SI4590DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SI4590DY-T1-GE3 IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 80489
SI4599D VS 特殊なホットIC 2768
SI4599DY SI 特殊なホットIC 50266
Si4599DY-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 18114
SI4599DY-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 19864
SI4599DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ

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SI4599DY-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI4599DY-T1-GE3 参考価格. SI4599DY-T1-GE3 パラメーター, SI4599DY-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI4599DY-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI4599DY-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI4599DY-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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