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SI5915BDC-T1-E3 技術仕様

MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 3.1W
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 8V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 4V
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
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SI5913DC-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 18805
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SI5915BDC-T1-E3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI5915BDC-T1-E3 参考価格. SI5915BDC-T1-E3 パラメーター, SI5915BDC-T1-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI5915BDC-T1-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI5915BDC-T1-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI5915BDC-T1-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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