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SI7141DP-T1-GE3
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SI7141DP-T1-GE3 技術仕様
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 400nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 mOhm @ 25A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SI7141DP-T1-GE3TR SI7141DPT1GE3 |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 32 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14300pF @ 10V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Detailed Description | P-Channel 20V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
SI7141DP-T1-GE3 書類
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データシート
SI7141DP-T1-GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SI714" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SI714'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SI7141DP | VISHAY | 特殊なホットIC | 2575 |
SI7141DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 5317 |
SI7141DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 単一MOSFETトランジスタ | |
Si7143DP | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 24619 |
Si7143DP-T1-E3 | VISHAY | 特殊なホットIC | 18911 |
SI7143DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2817 |
SI7143DP-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 22123 |
SI7143DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 単一MOSFETトランジスタ | |
SI7143DP-T1-GE3 IC | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 350 |
SI7143DP-T1-GE3 MOS | VBSEMI | 特殊なホットIC | 1384 |
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