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SI7192DP-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5800pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI7192DP-T1-GE3TR SI7192DPT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
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SI7192DP-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI7190ADP-T1-RE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2545
SI7190DP VISHAY 特殊なホットIC 351
SI7190DP-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 2648
SI7190DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5229
SI7190DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3056
SI7190DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
Si7192DP Vishay Precision Group 特殊なホットIC 798200
SI7192DP-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 2563
SI7192DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1454
SI7192DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ

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SI7192DP-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI7192DP-T1-GE3 参考価格. SI7192DP-T1-GE3 パラメーター, SI7192DP-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI7192DP-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI7192DP-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI7192DP-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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