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SI8483DB-T2-E1 技術仕様

MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Package / Case 6-UFBGA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±10V
Supplier Device Package 6-Micro Foot™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1840pF @ 6V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
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SI8483DB-T2-E1 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI8483DB-T2-E1 参考価格. SI8483DB-T2-E1 パラメーター, SI8483DB-T2-E1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI8483DB-T2-E1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI8483DB-T2-E1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI8483DB-T2-E1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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