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SIA477EDJ-T1-GE3
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SIA477EDJ-T1-GE3 技術仕様
MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 7A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SIA477EDJ-T1-GE3-ND SIA477EDJ-T1-GE3TR |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 8V |
FET Feature | - |
Detailed Description | P-Channel 12V 12A (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | - |
Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2970pF @ 6V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
SIA477EDJ-T1-GE3 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SIA477EDJ-T1-GE3
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データシート
SIA477EDJ-T1-GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SIA47" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SIA47'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SiA471DJ | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 1304 |
SIA471DJ-T1-GE3 | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 4040 |
SIA472EDJ-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2786 |
SIA477EDJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2672 |
SIA477EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 単一MOSFETトランジスタ | |
SIA477EDJT-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2976 |
SIA477EDJT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 890 |
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