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SIA912DJ-T1-GE3 技術仕様

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 6.5W
Package / Case PowerPAK® SC-70-6 Dual
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 6V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIA912DJ-T1-GE3TR SIA912DJT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.5nC @ 8V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Base Part Number SIA912
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SIA912DJ-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIA910EDJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 6338
SIA910EDJ-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 24129
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SIA912DJ-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIA912DJ-T1-GE3 参考価格. SIA912DJ-T1-GE3 パラメーター, SIA912DJ-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIA912DJ-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIA912DJ-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIA912DJ-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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