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SIHD2N80E-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series E
Power Dissipation (Max) 62.5W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 315pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 2.8A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D-PAK (TO-252AA)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.75 Ohm @ 1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIHD2N80E-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.6nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.8A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIHD240N60E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2565
SIHD2N80E-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ

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SIHD2N80E-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIHD2N80E-GE3 参考価格. SIHD2N80E-GE3 パラメーター, SIHD2N80E-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIHD2N80E-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIHD2N80E-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIHD2N80E-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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