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SIHF10N40D-E3 技術仕様

MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 FPAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220 Full Pack
Power Dissipation (Max) 33W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 526pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 400V
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SIHF10N40D-E3 書類

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その他には以下が含まれます：   "SIHF1"   部品

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIHF10N40D VB 特殊なホットIC 276
SIHF10N40D MOS VBSEMI 特殊なホットIC 5228
SIHF10N40D-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5000
SIHF10N40D-E3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SiHF12N50C Vishay 特殊なホットIC 533
SIHF12N50C TK12A50D Toshiba Semiconductor and Storage 特殊なホットIC 32363
SIHF12N50C-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 7920
SIHF12N50C-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 7920
SIHF12N50C-E3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SIHF12N50C-E3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 3112

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SIHF10N40D-E3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SIHF10N40D-E3 参考価格. SIHF10N40D-E3 パラメーター, SIHF10N40D-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIHF10N40D-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIHF10N40D-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIHF10N40D-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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