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SIHF12N60E-E3 技術仕様

MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Bulk
Other Names SIHF12N60EE3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220 Full Pack
Power Dissipation (Max) 33W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 937pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 12A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
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SIHF12N60E-E3 書類

データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SIHF12N60E-E3

その他には以下が含まれます：   "SIHF1"   部品

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIHF10N40D VB 特殊なホットIC 276
SIHF10N40D MOS VBSEMI 特殊なホットIC 5228
SIHF10N40D-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5000
SIHF10N40D-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5000
SIHF10N40D-E3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SiHF12N50C Vishay 特殊なホットIC 533
SIHF12N50C TK12A50D Toshiba Semiconductor and Storage 特殊なホットIC 32363
SIHF12N50C-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 7920
SIHF12N50C-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 7920
SIHF12N50C-E3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ

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SIHF12N60E-E3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIHF12N60E-E3 参考価格. SIHF12N60E-E3 パラメーター, SIHF12N60E-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIHF12N60E-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIHF12N60E-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIHF12N60E-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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