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SIHP10N40D-GE3
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SIHP10N40D-GE3 技術仕様
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 5A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Power Dissipation (Max) | 147W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Manufacturer Standard Lead Time | 18 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 526pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 400V 10A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220AB |
SIHP10N40D-GE3 書類
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その他には以下が含まれます: "SIHP1" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SIHP1'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SIHP10N40D | VISHAY | 特殊なホットIC | 10309 |
SIHP10N40D-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2546 |
SIHP10N40D-E3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2534 |
SIHP10N40D-E3 | Vishay Siliconix | 単一MOSFETトランジスタ | |
SIHP10N40D-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2585 |
SIHP10N40D-GE3 | Vishay Siliconix | 単一MOSFETトランジスタ | |
SIHP11N80E | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 20 |
SIHP11N80E-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2680 |
SIHP11N80E-GE3 | Vishay Siliconix | 単一MOSFETトランジスタ | |
SIHP12N50C-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 9441 |
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