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SIR186DP-T1-RE3 技術仕様

MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET® Gen IV
Power Dissipation (Max) 57W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names SIR186DP-T1-RE3DKR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 32 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1710pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Detailed Description N-Channel 60V 60A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR186DP-T1-RE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIR180DP-T1-RE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0
SIR182DP-T1-GE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 30
SIR182DP-T1-RE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 35033
SIR182DP-T1-RE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SIR184DP-T1-RE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2571
SIR186DP-T1-GE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 72
SIR186DP-T1-RE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SIR188DP-T1-RE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2711

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SIR186DP-T1-RE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIR186DP-T1-RE3 参考価格. SIR186DP-T1-RE3 パラメーター, SIR186DP-T1-RE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIR186DP-T1-RE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIR186DP-T1-RE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIR186DP-T1-RE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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