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SIR808DP-T1-GE3
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SIR808DP-T1-GE3 技術仕様
MOSFET N-CH 25V 20A POWERPAK
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9 mOhm @ 17A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 815pF @ 12.5V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 29.8W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.8nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
SIR808DP-T1-GE3 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SIR808DP-T1-GE3
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データシート
SIR808DP-T1-GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SIR80" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SIR80'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SIR800ADP-T1-GE3 | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 9605 |
SIR800DP | VB | 特殊なホットIC | 2356 |
SiR800DP-T1-E3 | VISHAY | 特殊なホットIC | 13692 |
SIR800DP-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 35059 |
SIR800DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 35059 |
SIR800DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 単一MOSFETトランジスタ | |
SIR800DP-T1-GE3 MOS | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 810 |
SIR800DP-T1-RE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2581 |
SiR802DP-T1-E3 | VISHAY | 特殊なホットIC | 33288 |
SIR802DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 13496 |
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SIR808DP-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SIR808DP-T1-GE3 参考価格. SIR808DP-T1-GE3 パラメーター, SIR808DP-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIR808DP-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIR808DP-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIR808DP-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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