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SIR850DP-T1-GE3
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SIR850DP-T1-GE3 技術仕様
MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1120pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 25V 30A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 20A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SIR850DP-T1-GE3TR SIR850DPT1GE3 |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
SIR850DP-T1-GE3 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SIR850DP-T1-GE3
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データシート
SIR850DP-T1-GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SIR85" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SIR85'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SIR850DP | SI | 特殊なホットIC | 888 |
SIR850DP-T1-E3 | VISHAY | 特殊なホットIC | 10110 |
SIR850DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 871585 |
SIR850DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 単一MOSFETトランジスタ |
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SIR850DP-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIR850DP-T1-GE3 参考価格. SIR850DP-T1-GE3 パラメーター, SIR850DP-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIR850DP-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIR850DP-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIR850DP-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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