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SIS415DNT-T1-GE3 技術仕様

MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5460pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Detailed Description P-Channel 20V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names SIS415DNT-T1-GE3DKR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
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SIS415DNT-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIS4101PT1G SIS 特殊なホットIC 5412
SIS410DN VB 特殊なホットIC 1015
SIS410DN MOS VBSEMI 特殊なホットIC 1463
SIS410DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 17996
SIS410DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 17996
SIS410DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SiS410DN-T1-GE3 MOS CCSEMI 特殊なホットIC 3204
SIS412DN V 特殊なホットIC 10490
SIS412DN IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 556
SIS412DN-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 25916

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SIS415DNT-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIS415DNT-T1-GE3 参考価格. SIS415DNT-T1-GE3 パラメーター, SIS415DNT-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIS415DNT-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIS415DNT-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIS415DNT-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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