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SIS410DN-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIS4101PT1G SIS 特殊なホットIC 5412
SIS410DN VB 特殊なホットIC 1015
SIS410DN MOS VBSEMI 特殊なホットIC 1463
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SIS412DN V 特殊なホットIC 10490
SIS412DN IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 556
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SIS410DN-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SIS410DN-T1-GE3 参考価格. SIS410DN-T1-GE3 パラメーター, SIS410DN-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIS410DN-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIS410DN-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIS410DN-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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