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SIS412DN-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 7.8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIS4101PT1G SIS 特殊なホットIC 5412
SIS410DN VB 特殊なホットIC 1015
SIS410DN MOS VBSEMI 特殊なホットIC 1463
SIS410DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 17996
SIS410DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 17996
SIS410DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SiS410DN-T1-GE3 MOS CCSEMI 特殊なホットIC 3204
SIS412DN V 特殊なホットIC 10490
SIS412DN IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 556
SIS412DN-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 25916

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SIS412DN-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SIS412DN-T1-GE3 参考価格. SIS412DN-T1-GE3 パラメーター, SIS412DN-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIS412DN-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIS412DN-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIS412DN-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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