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SIS780DN-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIS780DN-T1-GE3-ND SIS780DN-T1-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 722pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 18A (Tc) 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Power Dissipation (Max) 27.7W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24.5nC @ 10V
FET Feature Schottky Diode (Body)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
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SIS780DN SI 特殊なホットIC 30
SIS780DN-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 21500
SIS780DN-T1-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 7026
SIS780DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SIS780DN-T1-GE3 MOS VBSEMI 特殊なホットIC 6299
SIS782DN-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 2625
SIS782DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 16678
SiS782DN-T1-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 5634
SIS782DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ

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SIS780DN-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIS780DN-T1-GE3 参考価格. SIS780DN-T1-GE3 パラメーター, SIS780DN-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIS780DN-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIS780DN-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIS780DN-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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