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SIS892DN-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 611pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIS892DN-T1-GE3TR SIS892DNT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
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SIS892DN-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIS890DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2486
SIS890DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3056
SIS890DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SIS890DN-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 5719
SIS892ADN-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 2511
SIS892ADN-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 6316
SIS892ADN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 15408
SIS892DN-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 2559
SIS892DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 15045
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SIS892DN-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIS892DN-T1-GE3 参考価格. SIS892DN-T1-GE3 パラメーター, SIS892DN-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIS892DN-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIS892DN-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIS892DN-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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