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SIZ350DT-T1-GE3
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SIZ350DT-T1-GE3 技術仕様
MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Series | TrenchFET® Gen IV |
Power - Max | 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerWDFN |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.3nC @ 10V |
FET Feature | Standard |
Detailed Description | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 18.5A (Ta), 30A (Tc) 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 8-Power33 (3x3) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.75 mOhm @ 15A, 10V |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Other Names | SIZ350DT-T1-GE3CT |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 32 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 940pF @ 15V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.5A (Ta), 30A (Tc) |
SIZ350DT-T1-GE3 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SIZ350DT-T1-GE3
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データシート
SIZ350DT-T1-GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SIZ35" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SIZ35'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SIZ350DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETトランジスタアレイ |
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SIZ350DT-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIZ350DT-T1-GE3 参考価格. SIZ350DT-T1-GE3 パラメーター, SIZ350DT-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIZ350DT-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIZ350DT-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIZ350DT-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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