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SIZ926DT-T1-GE3 技術仕様

MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Series TrenchFET® Gen IV
Power - Max 20.2W, 40W
Package / Case 8-PowerWDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 40A (Tc), 60A (Tc) 20.2W, 40W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-PowerPair® (6x5)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names SIZ926DT-T1-GE3DKR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 32 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc), 60A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIZ920DP-T1-GE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 732
SIZ920DT-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 12258
SIZ920DT-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 12258
SIZ920DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SIZ920DT-T1-GE3 IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 712
SIZ926DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ

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SIZ926DT-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIZ926DT-T1-GE3 参考価格. SIZ926DT-T1-GE3 パラメーター, SIZ926DT-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIZ926DT-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIZ926DT-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIZ926DT-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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