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SIZ998DT-T1-GE3 技術仕様

MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 20.2W, 32.9W
Package / Case 8-PowerWDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Dual), Schottky
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc), 60A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-PowerPair®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIZ998DT-T1-GE3-ND SIZ998DT-T1-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 32 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V 20A (Tc), 60A (Tc) 20.2W, 32.9W Surface Mount 8-PowerPair®
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SIZ998DT-T1-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 12082
SIZ998DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SIZ998DT-T1-GE3 IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 929

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SIZ998DT-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIZ998DT-T1-GE3 参考価格. SIZ998DT-T1-GE3 パラメーター, SIZ998DT-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIZ998DT-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIZ998DT-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIZ998DT-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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