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SIZF906ADT-T1-GE3 技術仕様

MOSFET DUAL N-CHAN 30V

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Series TrenchFET® Gen IV
Power - Max 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Package / Case 8-PowerWDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Dual), Schottky
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-PowerPair® (6x5)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIZF906ADT-T1-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V, 200nC @ 10V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
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SIZF906ADT-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIZF906ADT-T1-GE3 参考価格. SIZF906ADT-T1-GE3 パラメーター, SIZF906ADT-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIZF906ADT-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIZF906ADT-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIZF906ADT-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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