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FJN3303FBU
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FJN3303FBU 技術仕様
FJN3303FBU datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 単一BJTトランジスタ |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 6 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Weight | 179mg |
Operating Temperature | 150°C TJ |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | Other Transistors |
Terminal Position | BOTTOM |
Number of Elements | 1 |
Power - Max | 650mW |
Polarity/Channel Type | NPN |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 400V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 14 @ 500mA 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 500mA, 1.5A |
Transition Frequency | 4MHz |
Collector Base Voltage (VCBO) | 700V |
hFE Min | 14 |
Turn On Time-Max (ton) | 1100ns |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Bulk |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8541.29.00.95 |
Max Power Dissipation | 650mW |
Base Part Number | FJN3303 |
Configuration | SINGLE |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | NPN |
Max Collector Current | 1.5A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10μA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 400V |
Frequency - Transition | 4MHz |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 9V |
Turn Off Time-Max (toff) | 4700ns |
Radiation Hardening | No |
FJN3303FBU 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください FJN3303FBU
-
データシート
その他には以下が含まれます: "FJN33" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'FJN33'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
FJN3301 | FAIRCH | 特殊なホットIC | 2692 |
FJN3301RBU | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2738 |
FJN3301RBU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2530 |
FJN3301RTA | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 0 |
FJN3301RTA | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2647 |
FJN3301RTA | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ | |
FJN3302RBU | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2629 |
FJN3302RBU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2565 |
FJN3302RBU | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
FJN3302RTA | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2184 |
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