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FJN3310RBU 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 300mW
Polarity NPN
Power Dissipation 300mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Frequency - Transition 250MHz
hFE Min 100
Continuous Collector Current 100mA
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC 40V
Current Rating 100mA
Element Configuration Single
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Resistor - Base (R1) 10 k Ω
RoHS Status RoHS Compliant
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
FJN3301 FAIRCH 特殊なホットIC 2692
FJN3301RBU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2738
FJN3301RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2530
FJN3301RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 0
FJN3301RTA Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2647
FJN3301RTA ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
FJN3302RBU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2629
FJN3302RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2565
FJN3302RBU ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
FJN3302RTA Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2184

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FJN3310RBU ブランドメーカー: ON Semiconductor, Bonchip ストック, FJN3310RBU 参考価格. FJN3310RBU パラメーター, FJN3310RBU データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FJN3310RBU プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FJN3310RBU ピン図と回路図と機能の使用方法、 FJN3310RBU エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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