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NSVDTA123EM3T5G
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NSVDTA123EM3T5G 技術仕様
TRANS PNP 50V 0.1A SOT723
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-723 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Max Power Dissipation | 260mW |
Terminal Form | FLAT |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
JESD-30 Code | R-PDSO-F3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 k Ω |
Lead Free | Lead Free |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2009 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Number of Elements | 1 |
Power - Max | 260mW |
Polarity/Channel Type | PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Resistor - Base (R1) | 2.2 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
NSVDTA123EM3T5G 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください NSVDTA123EM3T5G
-
データシート
その他には以下が含まれます: "NSVDT" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'NSVDT'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
NSVDTA113EM3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2770 |
NSVDTA113EM3T5G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
NSVDTA114EET1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2515 |
NSVDTA114EET1G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
NSVDTA114EM3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2747 |
NSVDTA114EM3T5G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
NSVDTA114YM3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2600 |
NSVDTA114YM3T5G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
NSVDTA115EET1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 30215 |
NSVDTA115EET1G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ |
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