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NSVDTA123JM3T5G 技術仕様

TRANS SS SOT723 BR XSTR PNP

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Package / Case SOT-723
Series Automotive, AEC-Q101
Power - Max 260mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Emitter Base (R2) 47 k Ω
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 2.2 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
NSVDTA113EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2770
NSVDTA113EM3T5G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSVDTA114EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2515
NSVDTA114EET1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSVDTA114EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2747
NSVDTA114EM3T5G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSVDTA114YM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2600
NSVDTA114YM3T5G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSVDTA115EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 30215
NSVDTA115EET1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ

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NSVDTA123JM3T5G ブランドメーカー: ON Semiconductor, Bonchip ストック, NSVDTA123JM3T5G 参考価格. NSVDTA123JM3T5G パラメーター, NSVDTA123JM3T5G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NSVDTA123JM3T5G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NSVDTA123JM3T5G ピン図と回路図と機能の使用方法、 NSVDTA123JM3T5G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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