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NSVDTA143EM3T5G 技術仕様

TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-723
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 260mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Resistor - Base (R1) 4.7 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
Max Power Dissipation 260mW
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 k Ω
Lead Free Lead Free
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
NSVDTA113EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2770
NSVDTA113EM3T5G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSVDTA114EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2515
NSVDTA114EET1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSVDTA114EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2747
NSVDTA114EM3T5G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSVDTA114YM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2600
NSVDTA114YM3T5G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSVDTA115EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 30215
NSVDTA115EET1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ

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NSVDTA143EM3T5G ブランドメーカー: ON Semiconductor, Bonchip ストック, NSVDTA143EM3T5G 参考価格. NSVDTA143EM3T5G パラメーター, NSVDTA143EM3T5G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NSVDTA143EM3T5G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NSVDTA143EM3T5G ピン図と回路図と機能の使用方法、 NSVDTA143EM3T5G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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