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DTC114GU3T106
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DTC114GU3T106 技術仕様
DTC114GU3 IS AN DIGITAL TRANSIST
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Part Status | Active |
Power - Max | 200mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 k Ω |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA ICBO |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Frequency - Transition | 250MHz |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
DTC114GU3T106 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください DTC114GU3T106
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データシート
その他には以下が含まれます: "DTC11" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'DTC11'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
DTC113EET1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2783 |
DTC113EET1G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTC113EM3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2685 |
DTC113EM3T5G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTC113ZCA | Original | 特殊なホットIC | 110632 |
DTC113ZCA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2598 |
DTC113ZCA-TP | Micro Commercial Co | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTC113ZCAHZGT116 | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2646 |
DTC113ZCAHZGT116 | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTC113ZCAT116 | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 110600 |
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輸送方法 | ||
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