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DTC114TUBTL
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DTC114TUBTL 技術仕様
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Published | 2012 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTOR |
Max Power Dissipation | 200mW |
Terminal Form | FLAT |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
Pin Count | 3 |
Polarity | NPN |
Transistor Application | SWITCHING |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Max Frequency | 250MHz |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
Continuous Collector Current | 100mA |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e1 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Base Part Number | DTC114 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Transition Frequency | 250MHz |
Resistor - Base (R1) | 10 k Ω |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
DTC114TUBTL 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください DTC114TUBTL
-
データシート
その他には以下が含まれます: "DTC11" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'DTC11'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
DTC113EET1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2783 |
DTC113EET1G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTC113EM3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2685 |
DTC113EM3T5G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTC113ZCA | Original | 特殊なホットIC | 110632 |
DTC113ZCA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2598 |
DTC113ZCA-TP | Micro Commercial Co | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTC113ZCAHZGT116 | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2646 |
DTC113ZCAHZGT116 | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTC113ZCAT116 | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 110600 |
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