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DTC114YCAT116
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DTC114YCAT116 技術仕様
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2015 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8541.21.00.75 |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
Operating Temperature (Max) | 150°C |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Max Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 k Ω |
VCEsat-Max | 0.3 V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Additional Feature | DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 |
Max Power Dissipation | 200mW |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Pin Count | 3 |
Qualification Status | Not Qualified |
Number of Elements | 1 |
Power - Max | 200mW |
Polarity/Channel Type | NPN |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 300mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA |
Transition Frequency | 250MHz |
Frequency - Transition | 250MHz |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
DTC114YCAT116 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください DTC114YCAT116
-
データシート
その他には以下が含まれます: "DTC11" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'DTC11'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
DTC113EET1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2783 |
DTC113EET1G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTC113EM3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2685 |
DTC113EM3T5G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTC113ZCA | Original | 特殊なホットIC | 110632 |
DTC113ZCA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2598 |
DTC113ZCA-TP | Micro Commercial Co | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTC113ZCAHZGT116 | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2646 |
DTC113ZCAHZGT116 | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTC113ZCAT116 | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 110600 |
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