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DTC115EU3T106 技術仕様

DTC115EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Package / Case SC-70, SOT-323
Part Status Active
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Power - Max 200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 82 @ 5mA 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 100 k Ω
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 100 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
DTC113EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2783
DTC113EET1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTC113EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2685
DTC113EM3T5G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTC113ZCA Original 特殊なホットIC 110632
DTC113ZCA-TP Micro Commercial Components (MCC) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2598
DTC113ZCA-TP Micro Commercial Co 事前バイアスBJTトランジスタ
DTC113ZCAHZGT116 LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2646
DTC113ZCAHZGT116 ROHM Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTC113ZCAT116 LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 110600

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DTC115EU3T106 ブランドメーカー: ROHM Semiconductor, Bonchip ストック, DTC115EU3T106 参考価格. DTC115EU3T106 パラメーター, DTC115EU3T106 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 DTC115EU3T106 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 DTC115EU3T106 ピン図と回路図と機能の使用方法、 DTC115EU3T106 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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