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RGTV60TK65GVC11 技術仕様
650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 単一IGBT |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 17 Weeks |
Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
Part Status | Active |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Input Type | Standard |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Test Condition | 400V, 30A, 10 Ω, 15V |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
Switching Energy | 570μJ (on), 500μJ (off) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -40°C~175°C TJ |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Power - Max | 76W |
Current - Collector (Ic) (Max) | 33A |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
Gate Charge | 64nC |
Td (on/off) @ 25°C | 33ns/105ns |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
RGTV60TK65GVC11 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください RGTV60TK65GVC11
-
データシート
その他には以下が含まれます: "RGTV6" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'RGTV6'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
RGTV60TK65DGVC11 | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 2568 |
RGTV60TK65DGVC11 | ROHM Semiconductor | 単一IGBT | |
RGTV60TK65GVC11 | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 2526 |
RGTV60TS65DGC11 | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 2699 |
RGTV60TS65DGC11 | ROHM Semiconductor | 単一IGBT | |
RGTV60TS65GC11 | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 450 |
RGTV60TS65GC11 | ROHM Semiconductor | 単一IGBT |
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RGTV60TK65GVC11 ブランドメーカー: ROHM Semiconductor, Bonchip ストック, RGTV60TK65GVC11 参考価格. RGTV60TK65GVC11 パラメーター, RGTV60TK65GVC11 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RGTV60TK65GVC11 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RGTV60TK65GVC11 ピン図と回路図と機能の使用方法、 RGTV60TK65GVC11 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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