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RGTV60TS65DGC11 技術仕様

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一IGBT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Part Status Active
Number of Terminations 3
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 194W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Turn On Time 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Switching Energy 570μJ (on), 500μJ (off)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Reverse Recovery Time 95ns
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Test Condition 400V, 30A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 201 ns
Gate Charge 64nC
Td (on/off) @ 25°C 33ns/105ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
RGTV60TK65DGVC11 LAPIS Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 2568
RGTV60TK65DGVC11 ROHM Semiconductor 単一IGBT
RGTV60TK65GVC11 LAPIS Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 2526
RGTV60TK65GVC11 ROHM Semiconductor 単一IGBT
RGTV60TS65DGC11 LAPIS Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 2699
RGTV60TS65GC11 LAPIS Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 450
RGTV60TS65GC11 ROHM Semiconductor 単一IGBT

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RGTV60TS65DGC11 ブランドメーカー: ROHM Semiconductor, Bonchip ストック, RGTV60TS65DGC11 参考価格. RGTV60TS65DGC11 パラメーター, RGTV60TS65DGC11 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RGTV60TS65DGC11 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RGTV60TS65DGC11 ピン図と回路図と機能の使用方法、 RGTV60TS65DGC11 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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