2SA965-O,F(J 技術仕様

TRANS PNP 800MA 120V TO226-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
Transistor Type PNP
Power - Max 900mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 100mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package LSTM
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 120MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
2SA963-R NEC 特殊なホットIC 874
2SA965 Original 特殊なホットIC 1241
2SA965-O TOSHIBA 特殊なホットIC 42000
2SA965-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2628
2SA965-O(TPE6 ,C) Toshiba Semiconductor and Storage 特殊なホットIC 6000
2SA965-TA Original 特殊なホットIC 2500
2SA965-Y TOS 特殊なホットIC 1481
2SA965-Y(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2774
2SA965-Y(T6CANO,FM Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2531
2SA965-Y(TPE6 Toshiba Semiconductor and Storage 特殊なホットIC 421

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