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2SA965-O(TE6,F,M)
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2SA965-O(TE6,F,M) 技術仕様
TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 900mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Supplier Device Package | LSTM |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 120MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
2SA965-O(TE6,F,M) 書類
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データシート
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その他には以下が含まれます: "2SA96" 部品
次の部分には次のものが含まれます '2SA96'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
2SA963-R | NEC | 特殊なホットIC | 874 |
2SA965 | Original | 特殊なホットIC | 1241 |
2SA965-O | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 42000 |
2SA965-O(TPE6 ,C) | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 6000 |
2SA965-O,F(J | Toshiba Semiconductor and Storage | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2716 |
2SA965-TA | Original | 特殊なホットIC | 2500 |
2SA965-Y | TOS | 特殊なホットIC | 1481 |
2SA965-Y(F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2774 |
2SA965-Y(T6CANO,FM | Toshiba Semiconductor and Storage | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2531 |
2SA965-Y(TPE6 | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 421 |
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2SA965-O(TE6,F,M) ブランドメーカー: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip ストック, 2SA965-O(TE6,F,M) 参考価格. 2SA965-O(TE6,F,M) パラメーター, 2SA965-O(TE6,F,M) データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 2SA965-O(TE6,F,M) プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 2SA965-O(TE6,F,M) ピン図と回路図と機能の使用方法、 2SA965-O(TE6,F,M) エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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輸送方法 | ||
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