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RN1113ACT(TPL3)
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RN1113ACT(TPL3) 技術仕様
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | 100mW |
Package / Case | SC-101, SOT-883 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | CST3 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 47k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
RN1113ACT(TPL3) 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください RN1113ACT(TPL3)
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データシート
RN1113ACT(TPL3).pdf
その他には以下が含まれます: "RN111" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'RN111'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
RN1110 | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 4003 |
RN1110(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2537 |
RN1110(T5LFT) | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 4100 |
RN1110,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2529 |
RN1110ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2553 |
RN1110CT | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 70500 |
RN1110CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2622 |
RN1110F | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 11826 |
RN1110FS | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 10360 |
RN1110MFV | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 136202 |
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