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RN1118MFV,L3F 技術仕様

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Power - Max 150mW
Other Names RN1118MFVL3F
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package VESM
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Package / Case SOT-723
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
RN1110 TOSHIBA 特殊なホットIC 4003
RN1110(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2537
RN1110(T5LFT) TOSHIBA 特殊なホットIC 4100
RN1110,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2529
RN1110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2553
RN1110CT TOSHIBA 特殊なホットIC 70500
RN1110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2622
RN1110F TOSHIBA 特殊なホットIC 11826
RN1110FS TOSHIBA 特殊なホットIC 10360
RN1110MFV TOSHIBA 特殊なホットIC 136202

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RN1118MFV,L3F ブランドメーカー: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip ストック, RN1118MFV,L3F 参考価格. RN1118MFV,L3F パラメーター, RN1118MFV,L3F データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RN1118MFV,L3F プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RN1118MFV,L3F ピン図と回路図と機能の使用方法、 RN1118MFV,L3F エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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