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RN1313(TE85L,F)
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RN1313(TE85L,F) 技術仕様
TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | USM |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 47k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
RN1313(TE85L,F) 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください RN1313(TE85L,F)
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データシート
RN1313(TE85L,F).pdf
その他には以下が含まれます: "RN131" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'RN131'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
RN1310 | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 269285 |
RN1310(TE85L | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 3299 |
RN1310(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 3000 |
RN1310,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
RN1311 | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 40944 |
RN1311(TE85L.F) | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 7300 |
RN1311,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 0 |
RN1311LF | TOS | 特殊なホットIC | 39444 |
RN1312 | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 42000 |
RN1312(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2788 |
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