RN1315,LF 技術仕様

X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Power - Max 100mW
Other Names RN1315LF
Manufacturer Standard Lead Time 16 Weeks
Frequency - Transition 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package USM
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Package / Case SC-70, SOT-323
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
RN1310 TOSHIBA 特殊なホットIC 269285
RN1310(TE85L Toshiba Semiconductor and Storage 特殊なホットIC 3299
RN1310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 3000
RN1310,LF Toshiba Semiconductor and Storage 事前バイアスBJTトランジスタ
RN1311 TOSHIBA 特殊なホットIC 40944
RN1311(TE85L.F) Toshiba Semiconductor and Storage 特殊なホットIC 7300
RN1311,LF Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 0
RN1311LF TOS 特殊なホットIC 39444
RN1312 TOSHIBA 特殊なホットIC 42000
RN1312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2788

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