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RN2111ACT(TPL3)
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RN2111ACT(TPL3) 技術仕様
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | 100mW |
Package / Case | SC-101, SOT-883 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | CST3 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
RN2111ACT(TPL3) 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください RN2111ACT(TPL3)
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データシート
RN2111ACT(TPL3).pdf
その他には以下が含まれます: "RN211" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'RN211'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
RN2110 | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 3320 |
RN2110,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2521 |
RN2110,LF(CB | Toshiba | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
RN2110,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
RN2110ACT | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 10376 |
RN2110ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2747 |
RN2110CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2709 |
RN2110F | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 3700 |
RN2110FT | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 8410 |
RN2110FV | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 8000 |
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