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RN2112MFV,L3F 技術仕様

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Package / Case SOT-723
Part Status Active
Power - Max 150mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 22 k Ω
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
RN2110 TOSHIBA 特殊なホットIC 3320
RN2110,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2521
RN2110,LF(CB Toshiba 事前バイアスBJTトランジスタ
RN2110,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage 事前バイアスBJTトランジスタ
RN2110ACT Toshiba Semiconductor and Storage 特殊なホットIC 10376
RN2110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2747
RN2110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2709
RN2110F Toshiba Semiconductor and Storage 特殊なホットIC 3700
RN2110FT TOSHIBA 特殊なホットIC 8410
RN2110FV TOSHIBA 特殊なホットIC 8000

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RN2112MFV,L3F ブランドメーカー: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip ストック, RN2112MFV,L3F 参考価格. RN2112MFV,L3F パラメーター, RN2112MFV,L3F データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RN2112MFV,L3F プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RN2112MFV,L3F ピン図と回路図と機能の使用方法、 RN2112MFV,L3F エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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