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RN2115,LF(CB
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RN2115,LF(CB 技術仕様
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k |
Power - Max | 100mW |
Package / Case | SC-75, SOT-416 |
Frequency - Transition | 200MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | SSM |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
RN2115,LF(CB 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください RN2115,LF(CB
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データシート
RN2115,LF(CB.pdf
その他には以下が含まれます: "RN211" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'RN211'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
RN2110 | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 3320 |
RN2110,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2521 |
RN2110,LF(CB | Toshiba | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
RN2110,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
RN2110ACT | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 10376 |
RN2110ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2747 |
RN2110CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2709 |
RN2110F | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 3700 |
RN2110FT | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 8410 |
RN2110FV | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 8000 |
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RN2115,LF(CB ブランドメーカー: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip ストック, RN2115,LF(CB 参考価格. RN2115,LF(CB パラメーター, RN2115,LF(CB データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RN2115,LF(CB プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RN2115,LF(CB ピン図と回路図と機能の使用方法、 RN2115,LF(CB エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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