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RN2117MFV,L3F 技術仕様

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms
Power - Max 150mW
Other Names RN2117MFVL3F
Manufacturer Standard Lead Time 16 Weeks
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Supplier Device Package VESM
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Package / Case SOT-723
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
RN2110 TOSHIBA 特殊なホットIC 3320
RN2110,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2521
RN2110,LF(CB Toshiba 事前バイアスBJTトランジスタ
RN2110,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage 事前バイアスBJTトランジスタ
RN2110ACT Toshiba Semiconductor and Storage 特殊なホットIC 10376
RN2110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2747
RN2110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2709
RN2110F Toshiba Semiconductor and Storage 特殊なホットIC 3700
RN2110FT TOSHIBA 特殊なホットIC 8410
RN2110FV TOSHIBA 特殊なホットIC 8000

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RN2117MFV,L3F ブランドメーカー: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip ストック, RN2117MFV,L3F 参考価格. RN2117MFV,L3F パラメーター, RN2117MFV,L3F データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RN2117MFV,L3F プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RN2117MFV,L3F ピン図と回路図と機能の使用方法、 RN2117MFV,L3F エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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