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RN2911FE(TE85L,F) 技術仕様

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 100mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package ES6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
RN2910 TOSHIBA 特殊なホットIC 6208
RN2910(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2667
RN2910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage BJTトランジスタアレイ
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RN2910FE,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2706
RN2910FE,LF(CB Toshiba BJTトランジスタアレイ
RN2910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage BJTトランジスタアレイ
RN2911 TOSHIBA 特殊なホットIC 3254
RN2911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2555
RN2911,LF Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2518

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RN2911FE(TE85L,F) ブランドメーカー: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip ストック, RN2911FE(TE85L,F) 参考価格. RN2911FE(TE85L,F) パラメーター, RN2911FE(TE85L,F) データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RN2911FE(TE85L,F) プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RN2911FE(TE85L,F) ピン図と回路図と機能の使用方法、 RN2911FE(TE85L,F) エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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